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61.
Let H be a separable infinite dimensional Hilbert space endowed with a symplectic structure and let L0⊂H be a Lagrangian subspace. Using the results of [A. Abbondandolo, P. Majer, Infinite dimensional Grassmannians, math.AT/0307192], we show that the Fredholm Lagrangian-Grassmannian FL0(Λ) has the homotopy type of Gc(L0), the Grassmannian of all Lagrangian subspaces of H that are compact perturbations of L0. It is well known that the latter has the homotopy type of the quotient U(∞)/O(∞). As a corollary, we recover a result by B. Booss-Bavnbek and K. Furutani (see [B. Booss-Bavnbek, K. Furutani, Symplectic functional analysis and spectral invariants, Contemp. Math. 242 (1999) 53-83; K. Furutani, Fredholm-Lagrangian-Grassmannian and the Maslov index, J. Geom. Phys. 51 (2004) 269-331]) that the L0-Maslov index is an isomorphism between the fundamental group of FL0(Λ) and the integers. 相似文献
62.
In this paper, we find some new explicit examples of Hamiltonian minimal Lagrangian submanifolds among the Lagrangian isometric immersions of a real space form in a complex space form. 相似文献
63.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
64.
环形光纤声发射传感器的相位调制特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种基于光纤Sagnac干涉仪的环形传感器,用于固体表面传播的超声波的检测.这种传感器的特点是能够精确地检测由固体表面传播的超声波产生的微弱振动.当超声波信号通过光纤传感器的两个臂到达探测器时,干涉仪的输出光强度受到了超声信号的调制.通过检测干涉仪的输出光强度并利用Fourier变换,测得了超声信号的振幅和频率.而且对传感系统的位相调制特性进行了仿真,并对实验结果进行了分析,结果表明该系统可用于固体表面传播的超声波频率特征的识别. 相似文献
65.
66.
67.
采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。 相似文献
68.
掺杂对碳纳米管拉曼光谱及场发射性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用高温热解法在860℃分别制备出了镓、氮以及硼和氮掺杂的碳纳米管,提纯后利用丝网印刷工艺分别将它们制备成薄膜,并测试了它们的拉曼光谱与场发射性能。测试结果表明,掺杂纳米管的缺陷密集度比纯碳纳米管明显增大,而它们的场致电子发射性能则与掺杂元素的性质密切相关。镓和氮掺杂的纳米管均具有非常优异的场发射性能,而硼和氮共掺杂的纳米管的场发射性能很差。掺杂引起碳纳米管费米能级附近能态密度的变化及功函数的降低是其具有优异场致电子发射性能的主要原因。 相似文献
69.
70.
掺杂Er^3+的TiO2的发射光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用无水乙醇、冰醋酸、钛酸丁酯凝胶法制备了掺杂Er^3+的TiO2粉末,测量了其在488m激发下的Stokes发射光谱和980nm激发下的上转换发光光谱。在可见光范围内,观察到了绿光和红光,绿光从500-570nm,对应Er^3+的^2H11/2,^4S3/2→^4I15/2,红光从650~690m,对应Er^3+的^4F9/2→^4I15/2的跃迁。由ln Ivis-In Iin曲线可知,绿光和红光均为双光子过程,光强正比于泵浦功率的二次方,即Iout ∝Iin。初步研究了此材料的上转换过程。 相似文献